晶体管元件查询
型号：S80N10R
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：80 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.007 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管P20N60SD22SK5262SK570STP4NK60ZFPNE32184AHY3210PIRFAF40IXFK27N80QIXTP80N10TP20N60TD2OR01H28FLM1213-4D2SK1056JCS20N60CAHFLM1414-2