晶体管元件查询
型号：IXFK27N80Q
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】500 W
漏极电流（ID）：27 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.32 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管SVG086R0NSIPB107N20N3G(107N20N)FMH11N90E2SK183，183EH7N0310LDSVF10N60AFK20SM-6SVF9N90PN8N60DIRFS630BSSH5N80AIRFJ22375N10DLSGN085R065W3LNH4N65