晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：MTA1N60E
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：8 Ω
封装：TO-220F

更多N沟道场效应管LSB60R030HT3SK201STP11NK40ZFPMGF14232N43922SK10812SK682SK22582SK423IRFD210UV2300MGF1303IRFI830H5N2505DLS85N12S

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