晶体管元件查询
型号:IRFD210
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):1 W
漏极电流(ID):0.6 A
漏极和源极电压(VDSS):200 V
封装:P-DIP4PIN

更多N沟道场效应管FQP20N60CH5N2505DLLNF12N65IRF6152SK1388STB50NF25H7N1005DS2SK3555-01MR-VBDH90N035RFLM1011-8DIRLB8314PbFFDP10N60NIRL2505MGFC39V3742IRLD110
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