晶体管元件查询
型号：LSG65R950HT
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.95 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管FLM5964-4C/DIXFH60N65X2STW11NK100ZFQP6N60C2SK3149IRCZ24MTP8N202SK2161SPI11N65C3FQB34N20LFDH055N15ALNN04R040BSVF4N60TFTD100N10ARFG70N06