晶体管元件查询
型号：IXFH60N65X2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】780 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】780 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】60 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
栅极阈值电压（VGS(th)）：3.5~5 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.052 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管LSF65R930GT2SK1838LRU7080LAO3416FQAF34N20LNCEP40T15AGU2N67572SK3659H7N0602LDSTB10NK60Z-1PHP45N03LTS10H16S57N10LND12N65BB504C