晶体管元件查询
型号：IRFP23N50L
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】370 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】370 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】23 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】23 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.235 Ω
封装：TO-247AC
更多N沟道场效应管RQK0202RGDQAIPI110N20N3G(110N20N)MDD1051SVD640FJCS7HN60F2SK1623S2SK2599IRCZ24HY5608WIRF1312LIRFIP4402SK1619FHS120N7F6ADN2540N8NTB75N03