晶体管元件查询
型号：SVD640F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.15 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFF331FHS170N8F3A2SK3205SG85N122N7218STD4NK60ZT4DHF90N035RH5N2512FNIRFS33N15D2SK1100DHE32052SK3434DHI130N03LSH70R1KGTJCS7HN60C