晶体管元件查询
型号:IPB025N10N3
类型:N沟道场效应管
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】180 A
【管壳温度(Tc)=25 ℃】180 A
漏极和源极电压(VDSS):100 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0025 Ω
总耗散功率(Ptot):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】300 W
【管壳温度(Tc)=25 ℃】300 W
封装:TO-263-7

更多N沟道场效应管2SK3136IRFAE20NCE82902SK2586IPB107N20N3G(107N20N)IRFF111SSF10N60AIXFK27N80QSVF1N60FDBL9403-F085T6STP80NF55-062SK2553SLND13N50NCE7580FHP130N10A