晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：HYG016N04LS1B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】240 A
漏极和源极电压（VDSS）：40 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0017 Ω
封装：TO-263

更多N沟道场效应管IXFX120N20BSP149IRFP048N2SK1113MDD1752IRF13118N50APSTP3NA60F80R900FLM7785-12D2SK40052SK2646IXFV96N20PMDF15N60GRFM8N20

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