晶体管元件查询
型号：FQU1N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】28 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：15 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管IRFK6J350AO3442STP10NK70ZLNN04R050STP10NK60Z2SK73IRFS720LNH10R180FSC10X50N20STP190N55LF3AOTF10N60FTP23N10AAOTF11N70FQP12N60C