晶体管元件查询
型号：FQP12N60C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：225 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】12 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.65 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管BUK471-100BIRFM450DHD3205NCEP15T14TH7N0608LSFHP200N6F3ASGU660N60W3TK090Z65ZMTP4N5023N50LNH05R100RF1S70N0330N50FS3400(X0FS20)SPP20N60C3