晶体管元件查询
型号：MTP4N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.5 Ω
封装：TO-220AB
更多N沟道场效应管IRFI6402SK2351HY4004BIPB200N25N3G(200N25N)LNC10N65IRFP044CRST055N08NFQB3N25AUIRFS8407-7PIRF462IRFBF202SK2294FSA10N60AIXFK44N50QSVF8N60