晶体管元件查询
型号：FQP8N80C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】178 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】178 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.55 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管HC037N06LSTW6N95K5FQPF8N80CIPD70R950CE(70S950CE)2SK635N30RJK6002DPDNTB5860NT4GLNH045R140DHB3205ADHI3205STP11N65M22SK3446LNG7N60DIPB019N08N3