晶体管元件查询
型号：FQP13N50C
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：195 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】13 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.48 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管3SK1132SK2529FCP16N60FDB075N15ASPTP65R160FMH09N90E2SK4117H5N2305PFSGM2006M/PAOT14N50IRLR110LND03R031LNC10R180NE42184AFTP03N50D