晶体管元件查询
型号：FIR2N80BPG
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：6.3 Ω
封装：TO-251
更多N沟道场效应管SPU04N60C3SGT380N60SJIRF340DHE90N045RNE42484AIPS60R400CEFHP120N9F4ALSF65R380HTIXTA460P2FLM1011-2STFW3N150TK065Z65ZFTP05N50DJCS4N65BIXFH1N80