晶体管元件查询
型号：JCS4N65B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：TO-262
更多N沟道场效应管NCEP15T14FS70SMJ-2FS10AS-06AO3424LSE65R380GFLSD70R640GTDHE80N08FS50KM-2SGT145N60W3STH60N1060N752SK6893SK318TS300HFCH25N60N