晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:CSD30N55
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
91 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
80 A
漏极和源极电压(VDSS):30 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.0065 Ω
封装:TO-252

更多N沟道场效应管MTP4N50FTD06N03NIRF634IRFJ34060N75MTP5N20APM2510NIRLU024BFW10IRF2N60SVD840FIRFSZ302SK2482MDF11N60BSVF11N60F

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

电子爱好者