晶体管元件查询
型号：CS1N60C1H
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：3 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：10.5 Ω
封装：TO-92
更多N沟道场效应管IRFU422IRFB38N20DPHP3055ESGT180N65W3IRFK6J3508N60K2SK671TK20J50DIRFK2DC502SK1530IRFZ10LNG4N60H6N80IRF630NLSGU1K1N65W3