晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：H6N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：4.2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管SVG103R0NTSGI600N65W33SK2962SK3391SGH5003EIXFX94N50P2IPD70R360P7S(70S360P7)IPP052N08N5FQP19N20FSX02FA/LGFQP7N80C2SK26487N65HAT2205CIRFK2FC50

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