晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：H6N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：4.2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管IRF121FS3KM-10IRFS3206PbFIRFD223MTW6N100EHY4306B6LNC12N65STI24NM60N2N60SVF8N65T3SK191FHS80N06BLNC7N65IRF0352SK3141

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