晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：H6N80
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：170 W
漏极电流（ID）：4.2 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V

更多N沟道场效应管FHS170N8F3ASVG076R5NT2SK68PHD50N06LTFS5ASJ-06FSKSS046N08NSGF420N80W32SK3141NEZ0910-4AFQP10N60C2SK1689IRF244CM80N06STU6NA1002SK4115

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