晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:H6N80
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):170 W
漏极电流(ID):4.2 A
漏极和源极电压(VDSS):800 V

更多N沟道场效应管IRF121FS3KM-10IRFS3206PbFIRFD223MTW6N100EHY4306B6LNC12N65STI24NM60N2N60SVF8N65T3SK191FHS80N06BLNC7N65IRF0352SK3141

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