晶体管元件查询
型号：AOTF8N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.15 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管FDPF20N50TRM130N100T2STH12N60FDB075N15ASTB11NM60T4RHF1203CLDH150N06IRF533IRC5402SK2995MGFC39V7785IRFJ330STW70N60DM2STFI26N60M2SMK1060P