晶体管元件查询
型号：STB11NM60T4
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.45 Ω
封装：D2PAK
更多N沟道场效应管BUZ215BUZ900LSF65R380GTMGF1303SUP75N03JCS4N65FOR01H18A2SK183V，183VEIRFP4868PbFIPB80N06S2-09(2N0609)LSD65R180GFLNE07R085H2N3824STK7002(K702)SGT160N50W3