晶体管元件查询
型号：AOT10N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】208 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.75 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管TK6A60DLNH045R140LSD65R380HTBUZ36RJK5003DPDFS70UM-2FLM4450-25DSSP65R650S2DH100N03FLR016FHNVF30552SK60SEM7575NSF2SK3135LFHX16X