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型號：3DG500
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.35 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.1 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：500 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：480 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：5 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：50 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：50 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：20 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.05 A】0.8 V
【集電極電流（Ic）=0.05 A】0.8 V
特徵頻率（fT）：30 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
封裝：B-1
更多NPN三極體2N3642ZTX239CLMMBT404MMBT6429MMBT5550CMPTA44MMBR2857MMBTA42CMPT5089CMPT6517CMPT3904MMBT2222ACMPT8099CMPT6428MMBT930