晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG1C
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.2 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.02 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：25 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：50 μA
特徵頻率（fT）：120 MHz
直流放大係數（hFE）：≥9
晶片材質：硅

更多NPN三極體CDQ100219018LT1(J8)2SC3624AL16CDQ10024MMCM2222CDQ10035MMBR920MMBR51793BX2A3DG1MMCM2369MMBR5031CDQ100202N4967CDQ10027

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

電子愛好者