晶體管元件查詢
型號：3DG181I
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.7 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.2 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：180 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：180 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：5 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：2 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：1 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=0.05 A】0.8 V
【集電極電流（Ic）=0.05 A】0.8 V
特徵頻率（fT）：100 MHz
直流放大係數（hFE）：25~180
封裝：B-4
更多NPN三極體3DK64A3DG2113DG182B3DK64C3DK64B3DG183D3DG180A3DX203B3DK64D3DK9C3DK104C3DG182J3DG87A3DG181H3DG12B