晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG110D
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：20 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：15 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：0.1 μA
特徵頻率（fT）：300 MHz
直流放大係數（hFE）：≥30
晶片材質：硅

更多NPN三極體SCA443DG8B3DG81B3DG161L3DG4013CG1E3DG9B3DG81A3DG4043DG4083DG304B3DX4B3DG44D3DG4062SC761

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