晶體管元件查詢
電壓 V　 電流 A
型號：3DG10F
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.5 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：4 V
特徵頻率（fT）：300 MHz
直流放大係數（hFE）：25~270
封裝：B-4

更多NPN三極體CDQ100062N335ABSS23BT2604TBT2221ATBC550BPBT929TBT2484T3DG0543BX55CJV2N2222A3BX8CBT5109TBT3227TBT2708

简体中文 - English - 日本語 - 繁體中文

電子愛好者