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型號：3CG2E
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集電極最大允許電流（ICM）：-0.05 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：-30 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：-4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：-0.1 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：-0.1 μA
特徵頻率（fT）：100 MHz
直流放大係數（hFE）：≥25
晶片材質：硅
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