晶體管元件查詢
型號：3CG180G
類型：PNP三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.7 W
集電極最大允許電流（ICM）：-0.1 A
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：-180 V
發射極與基極反向擊穿電壓（BVEBO）：-4 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：-0.5 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：-1 μA
發射極與基極反向漏電流（IEBO）：-0.5 μA
集電極與發射極飽和電壓（VCE（sat））：
【集電極電流（Ic）=-0.05 A】-0.8 V
【集電極電流（Ic）=-0.05 A】-0.8 V
特徵頻率（fT）：150 MHz
直流放大係數（hFE）：≥15
晶片材質：硅
封裝：B-4
更多PNP三極體3CG71F3CG23G3CK7A3CG13A3CK9B3CG180E3CK9F3CG131A3CK7C3CG131B3CG71G3CG23E3CK3D3CG180D3CG131E