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型號：3BX55B
類型：NPN三極體
集電極最大耗散功率（PCM）：0.5 W
集電極最大允許電流（ICM）：0.5 A
集電極與基極反向擊穿電壓（BVCBO）：50 V
集電極與發射極反向擊穿電壓（BVCEO）：30 V
集電極與基極反向漏電流（ICBO）：80 μA
集電極與發射極反向漏電流（ICEO）：1200 μA
特徵頻率（fT）：0.006 MHz
直流放大係數（hFE）：≥30
晶片材質：鍺
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