トランジスタ素子クエリ
部品番号：TSI8N60M
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】147 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】147 W
ドレイン電流（ID）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：600 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：1.2 Ω
外形：I2PAK
その他の電界効果トランジスタ NチャネルIRFPG5288N65M52SK3930SVF4N60A7N502SK511IRLR7843PbF3SK297BUZ14FHD150N03COSG65R380FESGI360N60W3IRF2252SK3156BF999