トランジスタ素子クエリ
部品番号：SiHG80N60E
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】520 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】520 W
ドレイン電流（ID）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】80 A
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】80 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：600 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：0.03 Ω
外形：TO-247AC
その他の電界効果トランジスタ NチャネルIRFS4310PbFIRLD0242SK1502IXFH44N50PSVD10N65DHE85N055R20N15IRFPF5018N652SK3149CS630A4RSSF65R420S22SK1404AOI4184FTK65T180DD(NCE65T180)