トランジスタ素子クエリ
部品番号：NCE30TH60BP
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】183 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】183 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】30 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】30 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：600 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝30 A】1.9 V
【コレクタ電流（Ic）＝30 A】1.9 V
外形：TO-3P
その他のディスクリートIGBTIGB01N120H2(G01H1202)FGW50N60VD(50G60VD)MBQ40T120FESTHIRG4BC10UDGT30F132GT15G101FGA20S120MRJP63K2DPP-M0IHW30N110R5(H30KR5)NCE30TD120UTNGTB15N60EGSGL50T120ANDRGTH60TS65DGT60J323IXDH20N120D1