トランジスタ素子クエリ
部品番号：MTM4N50
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：75 W
ドレイン電流（ID）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】4 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：500 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：1.5 Ω
外形：TO-3
その他の電界効果トランジスタ NチャネルFS10AS-3FHX04XRU75110RIPB025N10N32SK26742SK1548-01MR18N10SSM09N90GWFTP03N50DIRFSZ34IXTH6N70(A)TF060N03MIRFSZ32IRFF432SPA20N60C3