トランジスタ素子クエリ
部品番号：MTM4N45
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：75 W
ドレイン電流（ID）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】4 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：450 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：1.5 Ω
外形：TO-3
その他の電界効果トランジスタ NチャネルIPW60R045CPFQP10N80-VBSVF2N60NMDP9N60FSA10N60AIRFR322IRF614BA5N10MGF2415KIA8606ACEFF63016N50STB55NF03LSTB20NM60T4HYG055N08NS1B