トランジスタ素子クエリ
部品番号：IPI200N25N3G(200N25N)
種類：電界効果トランジスタ Nチャネル
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】300 W
ドレイン電流（ID）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】64 A
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】64 A
ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：250 V
ドレイン・ソース間オン抵抗（RDS(on)）：0.02 Ω
外形：TO-262
その他の電界効果トランジスタ NチャネルLSF65R180GFIRFPE42SGF180N60W3LSGE10R080W3DH3205IRFK6J350BUZ71AF2SK3160MGF2407ALNC2N652SK1221AOT9N70H7N0405LSJCS4N65RSVD4N60