トランジスタ素子クエリ
部品番号：H20N120R2
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】330 W
【ケースの温度（Tc）＝25 ℃】330 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】20 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】20 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1200 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝20 A】1.75 V
【コレクタ電流（Ic）＝20 A】1.75 V
外形：TO-247
その他のディスクリートIGBTGT20D1011MBH75D-060SIHW20N120R2(H20R1202)SGP15N120IGW30N60T(G30T60)IKP10N60T(K10T60)SGL50T120SFDTGA25N120NDSTGW38IH120DIKY50N120CH3(K50MCH3)FGW25N120VD(25G120VD)IHW20T120BT40T60IRG4PF50WDIXGH40N60A