トランジスタ素子クエリ
部品番号：G40T60AN3H
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】110 W
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】110 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】40 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】40 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：650 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝40 A】2.4 V
【コレクタ電流（Ic）＝40 A】2.4 V
外形：TO-3PN
その他のディスクリートIGBTIKZ75N65EL5(K75EEL5)IKW15T120(K15T120)IKW30N60H3(K30H603)SKW15N60(K15N60)IKZ75N65ES5(K75EES5)RJP30E2DPP-M01MBH60-100RGTH60TS65DIKY75N120CH3(K75MCH3)BT25T120GT60M301FGA20S120MMGD622IXDH35N60BD1IKP10N60T(K10T60)