トランジスタ素子クエリ
部品番号：FGY75T120SQDN
種類：ディスクリートIGBT
許容損失（PD）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】395 W
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】395 W
コレクタ電流（IC）：
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】75 A
【ケースの温度（Tc）＝100 ℃】75 A
コレクタ・エミッタ間電圧（VCES）：1200 V
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝75 A】1.95 V
【コレクタ電流（Ic）＝75 A】1.95 V
外形：TO-247
その他のディスクリートIGBTGT8G103IXGH38N60CRG15T60A94SSKW25N120TGL40N120FDIXBH9N160GGT5G103IKW25T120(K25T120)GT30J322GT50JR22STGWT60H65DFBGT60J323IKD15N60R(K15R60)IRGP4086IXBH40N160