トランジスタ素子クエリ
部品番号：3DG111B
種類：NPNバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：0.05 A
コレクタ・ベース間降伏電圧（BVCBO）：40 V
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：30 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：0.1 μA
トランジション周波数（fT）：150 MHz
直流電流増幅率（hFE）：≥30
チップ材料：シリコン
その他のNPNバイポーラートランジスター3DG111F2SC19063DG304A3DG37C3DX4F3DX1033DG37A3DG111CBC183CP3DX105BC238PAL3DG161I3DG9A3DX4E3DG44C