トランジスタ素子クエリ
部品番号：3DG110M
種類：NPNバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：0.05 A
コレクタ・ベース間降伏電圧（BVCBO）：20 V
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：15 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：0.5 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：0.5 μA
トランジション周波数（fT）：150 MHz
直流電流増幅率（hFE）：25～270
チップ材料：シリコン
その他のNPNバイポーラートランジスター3DG4062SC1890A3DG111F3DG110A3DK7D3DG111A3DX200BBC238PAL3DG5B2SC734BSJ793DG44DBC239PCL3BX85C3DG412