トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG4D
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.3 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.05 A
コレクタ・ベース間降伏電圧（BVCBO）：-45 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-0.1 μA
トランジション周波数（fT）：100 MHz
直流電流増幅率（hFE）：≥25
チップ材料：シリコン
その他のPNPバイポーラートランジスター2SA1175H2N11242SA562TCX954SCA933AG733CG111A2N36452N670BC416CP3CG21F9012LT1(2T1)3CX201ABC307PAL3CK2A