トランジスタ素子クエリ
部品番号：3CG180E
種類：PNPバイポーラートランジスター
最大コレクタ損失（PCM）：0.7 W
コレクタの最大許容電流（ICM）：-0.1 A
コレクタ・エミッタ間降伏電圧（BVCEO）：-100 V
エミッタ・ベース間降伏電圧（BVEBO）：-4 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-0.5 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-1 μA
エミッターしゃ断電流（IEBO）：-0.5 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝-0.05 A】-0.8 V
【コレクタ電流（Ic）＝-0.05 A】-0.8 V
トランジション周波数（fT）：150 MHz
直流電流増幅率（hFE）：≥15
チップ材料：シリコン
外形：B-4
その他のPNPバイポーラートランジスター3CG180H3CK3F3CG23E3CG4A3CG131A3CK9F3CG180F3CK7E3CK7A3CG180B3CG131E3CK9D3CK7B3CG130B3CK9E