トランジスタ素子クエリ
部品番号：2SB819
種類：PNPバイポーラートランジスター
総消費電力（Ptot）：
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】1 W
【周囲温度（Ta）＝25 ℃】1 W
コレクタ電流（IC）：-1.5 A
コレクタ・ベース間電圧（VCBO）：-50 V
コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO）：-40 V
エミッタ・ベース間電圧（VEBO）：-5 V
コレクターしゃ断電流（ICBO）：-1 μA
コレクターしゃ断電流（ICEO）：-100 μA
エミッターしゃ断電流（IEBO）：-10 μA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧（VCE(sat)）：
【コレクタ電流（Ic）＝-1.5 A】-1 V
【コレクタ電流（Ic）＝-1.5 A】-1 V
トランジション周波数（fT）：150 MHz
直流電流増幅率（hFE）：80~220
チップ材料：シリコン
コンプリメンタリ：2SD1051
その他のPNPバイポーラートランジスター2SA1371E2SB733AC188KTA1273ST8550BC461BC8692N42362SA1666UAC1282SA684BCY792SB10502SB1237ZTX755