晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：WSJM65R170
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】240 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】23 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管DHB3205WFP8N60NCE01H13DHB80N08FLM1414-5SSP6N80AFQI16N152SK4026STP9NK50ZFPHY3403U2SK320SSS10N60H7N0310LSIRF222IRC531

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