晶体管元件查询
型号：VCRR65T180
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】188 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】21 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.18 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管SGD1K4N65W3IRF2222SK817SSP65R360S2HY3712PSVF12N65FLNE06R140SP10N152SK152STW43NM60NDRU7089RUV4004RIRFP264NFBM75N68PTSB8N60M