晶体管元件查询
型号：TTP115N08A
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】200 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】105 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】105 A
漏极和源极电压（VDSS）：85 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0078 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管TK2P60DRJK5013DPPIRFK4H350IXFH34N65X22SK3090SPW35N60CFDIXFT30N50H7N0311LS3SK168HYG035N10NS2BSVS20N60TH7N1005FMIXFK73N30QFBM75N68PIRF034