晶体管元件查询
型号：TSF8N60M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】7.5 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管TSF10N60M2SK2980MGF1304ACS64N18SGD1K1N65W3JCS8N65CBIRLR7843PbFUV3205RLSG80R980GTBUK456/60ASVS20N60S2SK2605LNC08R085FHX35LGLNH7N60D