晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：TPP65R170M
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】151 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】20 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.17 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管FLM6472-12DAHY3810P3SK297H5N1506PNCE3030KRFP70N03LNG06R062MTP4N40JCS7HN60RDH3278FMH07N90EIXTH11N1002SK1620LDHI85N082SK2258

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